উচ্চ বিশুদ্ধ অ্যালুমিনা সিরামিক (Al)2O3:>৯৯.৭%)
-অ্যালুমিনা ওয়েফার পলিশিং প্লেট / টার্ন টেবিল
এলসিডি উৎপাদন সরঞ্জামের জন্য বড় আকারের উচ্চ বিশুদ্ধতার অ্যালুমিনা বেসবোর্ড
উচ্চ বিশুদ্ধ অ্যালুমিনাAl2O3>৯৯.৭%
সেমিকন্ডাক্টর, পেট্রোলিয়াম, রাসায়নিক, ফটোভোল্টাইক, এলসিডি ইত্যাদি শিল্পে যান্ত্রিক যন্ত্রাংশ, ইলেকট্রনিক যন্ত্রাংশ, মাইক্রোওয়েভ ইন্ডাকশন ডিস্ক, ইনসুলেশন যন্ত্রাংশ হিসেবে ব্যবহৃত হয়। যেমন সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস, ভ্যাকুয়াম সরঞ্জাম, লিকুইড ক্রিস্টাল উৎপাদন সরঞ্জাম এবং অন্যান্য উপাদান তৈরিতে। উদাহরণস্বরূপ, রাসায়নিক যান্ত্রিক পলিশিং-এ ব্যবহৃত সিএমপি (CMP)-এর একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান হলো বড় আকারের উচ্চ-বিশুদ্ধ অ্যালুমিনা সিরামিক ওয়েফার পলিশিং প্লেট/টার্ন টেবিল এবং এলসিডি-র জন্য অ্যালুমিনা বেসবোর্ড।
উচ্চ-বিশুদ্ধ অ্যালুমিনিয়াম2O৩৯৯.৭% -৯৯.৯%
উচ্চ যান্ত্রিক শক্তি
উচ্চ পরিধান প্রতিরোধ ক্ষমতা
উচ্চ বৈদ্যুতিক নিরোধক
উচ্চ রাসায়নিক স্থায়িত্ব
ভালো তাপ এবং ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা
আমাদের পিআইবিএম স্বতঃস্ফূর্ত ঘনীভবন সিস্টেমের স্বতন্ত্র মেধাস্বত্ব রয়েছে এবং আমরা পেশাগতভাবে উচ্চ-মানের সূক্ষ্ম সিরামিক উপাদান উৎপাদন করি।
নতুন প্রযুক্তিটি প্রস্তুতি প্রক্রিয়ায় বড় আকারের সিরামিক ওয়েট ব্ল্যাঙ্কের বিকৃতি এবং ফাটলের সমস্যা সমাধান করে, এবং প্রচলিত পদ্ধতিতে প্রস্তুত বড় আকারের সিরামিক যন্ত্রাংশের কার্যক্ষমতা উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করে।
কেমশুন সিরামিকস-এর অ্যালুমিনা সিরামিক স্যাফায়ার ল্যাপিং ওয়েফার পলিশিং প্রক্রিয়াটি পিআইবিএম (PIBM) উৎপাদন পদ্ধতি দ্বারা গঠিত। এটি একটি আন্তর্জাতিক উন্নত প্রযুক্তি। পিআইবিএম বড় আকারের অ্যালুমিনা সিরামিকের ফাটল এবং বিকৃতির মূল সমস্যা সফলভাবে সমাধান করেছে। পিআইবিএম প্রযুক্তি উন্নত মানের সিরামিকের জন্য একটি নতুন দিগন্ত উন্মোচন করবে। আমরা শুধু উচ্চ মানের অ্যালুমিনা সিরামিক ওয়েফার পলিশিং প্লেটই উৎপাদন করি না, বরং অন্যান্য সিরিজের বড় আকারের উচ্চ বিশুদ্ধতার অ্যালুমিনা সিরামিকও উৎপাদন করি, যেমন এলসিডি উৎপাদন সরঞ্জামের জন্য ১২০০x৫০০x২০ মিমি সিরামিক সাবস্ট্রেট, সেমিকন্ডাক্টর ডেলিভারি ট্র্যাক, ভ্যাকুয়াম যন্ত্রাংশ, সাধারণ যান্ত্রিক যন্ত্রাংশ এবং বুলেটপ্রুফ সিরামিক।
১. অ্যালুমিনা ওয়েফার পলিশিং প্লেট / টার্ন টেবিল। ডিস্ক, রিং সাইজ ৮৫০ মিমি-এর নিচে, পুরুত্ব ৪৫ মিমি।
২. এলসিডি-র জন্য সাপোর্ট রিসেপ্টর/ক্যারিয়ার প্লেট হিসেবে অ্যালুমিনা বেসবোর্ড। লম্বা বোর্ড, লম্বা বার, বর্গাকার বোর্ড, ১৫০০*৬০০মিমি-র নিচের পাতলা বোর্ডের আকারে পাওয়া যায়, যেমন: ১২০০x৫০০x২০, ১৪০০x৯০০x৩০ ইত্যাদি।
৩. ১০০০ * ৪৫ * ৪৫ মিমি-এর নিচের গাইড রেল।
৪. খালি টিউব, সিলিন্ডার, বৈদ্যুতিক ভ্যাকুয়াম টিউব ইত্যাদি, যেগুলোর আকার ৩০০ ~ ৬০০ × L৫০০মিমি-এর নিচে।
৫. বিভিন্ন আকৃতির অংশসহ ফরমায়েশি পণ্য গ্রহণ করা হয়।
| সম্পত্তি | আইটেম | ইউনিট | চেমশুন 99.7% অ্যালুমিনা সিরামিক |
| সাধারণ বৈশিষ্ট্য | প্রধান উপাদান | ওজন শতাংশ | ৯৯.৭-৯৯.৯ |
| ঘনত্ব | জিএম/সিসি | ৩.৯৪-৩.৯৭ | |
| রঙ | - | হাতির দাঁত | |
| জল শোষণ | % | 0 | |
| যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য | নমনীয় শক্তি (MOR) ২০ ℃ | এমপিএ(psix10^3) | ৪৪০-৫৫০ |
| স্থিতিস্থাপক মডুলাস ২০℃ | জিপিএ (psix10^6) | ৩৭৫ | |
| ভিকার্স কঠোরতা | জিপিএ(কেজি/মিমি²) আর৪৫এন | >=১৭ | |
| নমন শক্তি | জিপিএ | ৩৯০ | |
| ২৫℃ টান শক্তি | MPa(psix10^3) | ২৪৮ | |
| ফ্র্যাকচার টাফনেস (KI c) | এমপিএ* এম^১/২ | ৪-৫ | |
| তাপীয় বৈশিষ্ট্য | তাপ পরিবাহিতা (২০℃) | W/mk | 30 |
| তাপীয় প্রসারণ গুণাঙ্ক (২৫-১০০০℃) | ১x ১০^-৬/℃ | ৭.৬ | |
| তাপীয় শক প্রতিরোধ | ℃(∆ Tc) | ২০০ | |
| সর্বোচ্চ ব্যবহার তাপমাত্রা | ℃ | ১৭০০ | |
| বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য | ডাইইলেকট্রিক স্ট্রেংথ (1MHz) | এসি-কেভি/মিমি (এসি ভি/মিল) | ৮.৭ |
| ডাইইলেকট্রিক ধ্রুবক (1 মেগাহার্টজ) | ২৫℃ | ৯.৭ | |
| আয়তন রোধ | ওহম-সেমি (২৫℃) | >১০^১৪ | |
| ওহম-সেমি (৫০০℃) | ২×১০^১২ | ||
| ওহম-সেমি (১০০০℃) | ২×১০^৭ |

প্রতিটি ব্যাচের পণ্য কারখানার ল্যাব এবং জাতীয় পরিদর্শন কেন্দ্রে পরিদর্শন করা হয়।